DSpace Arşivi :: by Yazar "Kavas, Hüseyin" değerine göre listeleniyor

Listeleniyor 1 - 1 / 1

Isısal uyarımlı iletkenlik metodu ve tabakalı tek kristal yapılı yarıiletkenlerdeki uygulaması
(Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2006-05-24) Kavas, Hüseyin; Şafak, Haluk
Bu çalışma, optik ve elektriksel özellikleri nedeniyle optoelektronik aletlerde yaygın kullanımı olan talyum kalgonitlerinden TlGaSe2 ve TlGaS0.5Se1.5 kristallerindeki kusurların Isısal Uyarımlı İletkenlik (TSC) yöntemi ile tespiti amacıyla yapılmıştır. Bu tezde Isısal uyarımlı iletkenlik yönteminin teorisi, gerekli deney düzeneği, numunelerin hazırlanmasının yanısıra ve deney sonuçlarından kristal kusurlarına ilişkin bazı parametrelerinin (aktivasyon enerjisi, tuzak yakalama kesiti ve tuzak yoğunlukları) nasıl elde edildiği incelenmiş ve bulunan sonuçlar açıklanmıştır. TlGaSe2 numunesinde 98 ve 130 meV (sırasıyla 120.2 ve 153 K) aktivasyon enerjisine sahip kristal kusurlardan kaynaklanan tuzaklanma merkezleri tesbit edilmiştir. Bu tuzak merkezlerine ait tuzak yakalama kesitleri sırasıyla 2.3 Ã 10 â 24 ve 1.8 Ã 10 â 24 cm2 ; tuzak yoğunlukları ise sırasıyla 1.4 Ã 1014 ve 3.8 Ã 1014 cm -3 olarak bulunmuştur. TlGaS0.5Se1.5 numunesinde ise aktivasyon enerjisi 650 meV (216.8 K) tuzaklanma merkezi tesbit edilmiştir. Bu tuzak merkezine ait tuzak yakalama kesiti sırasıyla 8.55 Ã 10 â 18 cm2 ve tuzak yoğunluğu ise 7.15 Ã 1016 cm -3 olarak bulunmuştur.