Kuantum Nokta Yapılarda Elektri?k Alan Etki?si?ni?n Pertürbasyon Yöntemi?yle I?ncelenmesi?

Bu çalı?mada Pertürbasyon metodu ile kuantum nokta yapılarının elektronik yapısına dı? elektrik alan etkisi incelendi. Merkezinde hidrojen tipi bir safsızlık bulunan sonlu küresel simetrik sonlu potansiyelle sınırlandırılmı? bir-elektronlu kuantum nokta yapısının taban ve bazı uyarılmı? seviyelerin pertürbe olmamı? enerji öz değerlerini ve dalga fonksiyonlarını KGA metodu ile Hartree-Fock-Roothaan (HFR) metodu birle?tirilerek belirlendi. Dalga fonksiyonları, STO ların lineer bile?iminden olu?an tek-elektron spin orbitalleri alındı. Pertürbe olmamı? enerji özdeğerleri ve dalga fonksiyonları kullanılarak, nokta yapısının elektronik yapısı üzerine dı? elektrik alanının etkisi farklı nokta yarıçapı ve sınırlandırıcı potansiyel değerleri için pertürbasyon teorisi ile hesaplandı.

In this thesis, electronic properties of Quantum dots was examined according to the position of impurity using perturbation method. Spherical quantum dot with one electron on-center hydrogenic impurity confined finite spherical potential the non-perturbed energy eigenvalues and the wave functions ground and some excited states were determined by a method consisting of a combination of the KGA method with HartreeFock-Roothaan (HFR) method. Wave functions were created a single electron spin orbitals that consist of the linear combination of Slater type orditals (STOs). The effect of the external electric field applied on the electronic structure for different dot radius and confining potential were calculated by perturbation theory using the energy eigenvalues and wave functions unperturbed